MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230 - Discrete Semiconductor Products

All prices are in EUR.

Digi-Key partnummer

BTS282Z E3230-ND

Prijsniveau	Prijs per stuk	Totaalprijs

Partnummer fabrikant

BTS282Z E3230

Beschrijving

MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7

Beschikbare hoeveelheid

Non-Stock

Als het gevraagde aantal hoger is dan de afgebeelde hoeveelheid in de prijstabel, kan een lager aantal worden afgebeeld op uw bestelling.
U kunt een prijsaanvraag indienen voor aantallen die hoger zijn dan de hoeveelheden afgebeeld in de prijstabel.

MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230 - Discrete Semiconductor Products

Technische/Catalogusinformatie	BTS282Z E3230
Verkoper	Infineon Technologies
Categorie	Discrete Semiconductor Products
Mounting Type	Through Hole
FET Type	N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	49V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C	6.5 mOhms @ 36A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4800 pF @ 25V
Power - Max	300W
Packaging	Tube
Gate Charge (Qg) @ Vgs	232nC @ 10V
Package / Case	TO-220-7
Loodvrij-status	Contains Lead
BvGS-status	RoHS Non-Compliant
Andere namen	BTS282Z E3230 BTS282Z E3230

Image of MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.

MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230
(BTS282Z E3230-ND) - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230 - Discrete Semiconductor Products

MOSFET N-CHAN ENH 49V TO220-7 - BTS282Z E3230 (BTS282Z E3230-ND) - Discrete Semiconductor Products