Als het gevraagde aantal hoger is dan de afgebeelde hoeveelheid in de prijstabel, kan een lager aantal worden afgebeeld op uw bestelling. U kunt een prijsaanvraag indienen voor aantallen die hoger zijn dan de hoeveelheden afgebeeld in de prijstabel.
TRANSISTOR POWER TDSON-8 - BSC042N03S G - Discrete Semiconductor Products
Technische/Catalogusinformatie
BSC042N03S G
Verkoper
Infineon Technologies
Categorie
Discrete Semiconductor Products
Mounting Type
Surface Mount
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C
95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C
4.2 mOhms @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
3660pF @ 15V
Power - Max
62.5W
Packaging
Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs
28nC @ 5V
Package / Case
TDSON-8
Loodvrij-status
Lead Free
BvGS-status
RoHS Compliant
Andere namen
BSC042N03S G
BSC042N03S G
BSC042N03SGINTR ND
BSC042N03SGINTRND
BSC042N03SGINTR
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
TRANSISTOR POWER TDSON-8 - BSC042N03S G (BSC042N03SGINTR-ND) - Discrete Semiconductor Products
TRANSISTOR POWER TDSON-8 - BSC042N03S G (BSC042N03SGINTR-ND) - Discrete Semiconductor Products